| 電子源／加速電圧 |
ＴＦＥ（ＺｒＯ／Ｗ）／5〜50kV |
| 電子ビーム径／最小線幅 |
2.0nm／ 10nm保証、8nm可能 |
| スキャン方式 |
ベクタスキャン（ｘ，ｙ），ベクタスキャン（ｒ，θ） （標準）
ラスタスキャン，スポットスキャン （オプション） |
| 新描画方式（オプション） |
フィールドサイズ変調描画，回転対称図形描画，
ＲＡＭ ＤＡＣデジタルスポット描画，３次元図形描画 |
| フィールドサイズ |
30μm□，60μm□，120μm□，300μm□，600μm□（標準）
1200μm□，2400μm□（オプション） |
| 画素数 |
20,000×20,000dot，60,000×60,000dot＠ベクタスキャン（標準）
240,000×240,000dot＠ベクタスキャン（オプション）
4,000×4,000dot，10,000×10,000dot＠ラスタスキャン（オプション） |
| 最小アドレスサイズ |
10nm＠600μm□フィールド，2nm＠120μm□フィールド（標準）
0.0012nm＠500μm□フィールド（オプション） |
| 対応基板サイズ |
4，6，8インチΦ（他のサイズ、形状もフレキシブルに対応） |
| 接続精度 |
50nm（3σ）＠500μm□，20nm（2σ）＠50μm□ |
| 重ね合わせ精度 |
50nm（3σ）＠500μm□，20nm（2σ）＠50μm□ |
| ＣＡＤソフトウェア |
オリジナルＣＡＤ（標準），ＧＤＳⅡコンバージョン（オプション），
ＤＸＦコンバージョン（オプション） |
| ＯＳ |
Windows２０００、ＸＰ |
